STB160NF3LLT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB160NF3LLT4
Código: B160NF3LL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 16 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 160 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 80 nC
Tiempo de subida (tr): 350 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1700 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0033 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB160NF3LLT4
STB160NF3LLT4 Datasheet (PDF)
stb160nf3llt4.pdf
STB160NF3LLN-channel 30V - 0.0028 - 160A - D2PAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB160NF3LL 30V
stb160nf3ll.pdf
STB160NF3LLN-channel 30V - 0.0028 - 160A - D2PAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB160NF3LL 30V
stb160nf02l.pdf
STB160NF02LN-CHANNEL 20V - 0.0018 - 160A D2PAKSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB160NF02L 20 V
stb160nf03l.pdf
STB160NF03LN-CHANNEL 30V - 0.0021 - 160A D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB160NF03L 30 V
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