STB160NF3LLT4 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STB160NF3LLT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB160NF3LLT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 350 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de STB160NF3LLT4 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:419K st
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STB160NF3LL N-channel 30V - 0.0028 - 160A - D2PAK STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB160NF3LL 30V

3.1. Size:421K st
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STB160NF3LL N-channel 30V - 0.0028 - 160A - D2PAK STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB160NF3LL 30V

6.1. Size:289K st
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STB160NF02L N-CHANNEL 20V - 0.0018 - 160A D2PAK STripFET POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STB160NF02L 20 V

6.2. Size:431K st
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