STB160NF3LLT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB160NF3LLT4
Código: B160NF3LL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 350 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1700 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB160NF3LLT4
STB160NF3LLT4 Datasheet (PDF)
stb160nf3llt4.pdf
STB160NF3LLN-channel 30V - 0.0028 - 160A - D2PAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB160NF3LL 30V
stb160nf3ll.pdf
STB160NF3LLN-channel 30V - 0.0028 - 160A - D2PAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB160NF3LL 30V
stb160nf02l.pdf
STB160NF02LN-CHANNEL 20V - 0.0018 - 160A D2PAKSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB160NF02L 20 V
stb160nf03l.pdf
STB160NF03LN-CHANNEL 30V - 0.0021 - 160A D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB160NF03L 30 V
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