STB160NF3LLT4 Todos los transistores

 

STB160NF3LLT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB160NF3LLT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 350 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB160NF3LLT4 Datasheet (PDF)

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STB160NF3LLT4

STB160NF3LLN-channel 30V - 0.0028 - 160A - D2PAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB160NF3LL 30V

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STB160NF3LLT4

STB160NF3LLN-channel 30V - 0.0028 - 160A - D2PAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB160NF3LL 30V

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STB160NF3LLT4

STB160NF02LN-CHANNEL 20V - 0.0018 - 160A D2PAKSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB160NF02L 20 V

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STB160NF3LLT4

STB160NF03LN-CHANNEL 30V - 0.0021 - 160A D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB160NF03L 30 V

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History: FQNL1N50BBU | FMP26-02P | FQP10N60CF | NTBS9D0N10MC | MSK19N03 | FQD10N20TF | 10N60L-TF3-T

 

 
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