STB160NF3LLT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB160NF3LLT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 350 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB160NF3LLT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB160NF3LLT4 даташит

 ..1. Size:419K  st
 stb160nf3llt4.pdf pdf_icon

STB160NF3LLT4

STB160NF3LL N-channel 30V - 0.0028 - 160A - D2PAK STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB160NF3LL 30V

 3.1. Size:421K  st
 stb160nf3ll.pdf pdf_icon

STB160NF3LLT4

STB160NF3LL N-channel 30V - 0.0028 - 160A - D2PAK STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB160NF3LL 30V

 6.1. Size:289K  st
 stb160nf02l.pdf pdf_icon

STB160NF3LLT4

STB160NF02L N-CHANNEL 20V - 0.0018 - 160A D2PAK STripFET POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STB160NF02L 20 V

 6.2. Size:431K  st
 stb160nf03l.pdf pdf_icon

STB160NF3LLT4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB14NK50ZT4, STB14NK60Z-1, STB14NK60ZT4, STB14NM65N, STB150NF55T4, STB15N80K5, STB15NK50ZT4, STB15NM60N, IRF1404, STB16NF06LT4, STB16NK65Z-S, STB16NM50N, STB16NS25T4, STB16PF06LT4, STB18N60M2, STB18N65M5, STB18NF30