STB16NS25T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB16NS25T4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 140 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 250 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 60 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 190 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB16NS25T4
STB16NS25T4 Datasheet (PDF)
stb16ns25t4.pdf
STB16NS25N-CHANNEL 250V - 0.23 - 16AD2PAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB16NS25 250 V
stb16ns25.pdf
STB16NS25N-CHANNEL 250V - 0.23 - 16AD2PAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB16NS25 250 V
stb16nk65z-s stp16nk65z.pdf
STP16NK65ZSTB16NK65Z-SN-CHANNEL 650V - 0.38 - 13A TO-220 / I2SPAKZener - Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP16NK65Z 650 V
stb16nm50n stf16nm50n sti16nm50n stp16nm50n stw16nm50n.pdf
STB16NM50N - STF/I16NM50NSTP16NM50N - STW16NM50NN-channel 500 V - 0.21 - 15 A MDmesh II Power MOSFETD2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FPFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB16NM50N 550 V 0.26 15 ADPAKIPAKSTI16NM50N 550 V 0.26 15 A3STF16NM50N 550 V 0.26 15 A (1)21STP16NM50N 550 V 0.26 15 ATO-247STW16NM50N 550
stb16nf06lt4.pdf
STB16NF06LN-channel 60V - 0.07 - 16A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB16NF06L 60V
stb16nb25.pdf
STB16NB25N - CHANNEL 250V - 0.220 - 16 A - TO-263PowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB16NB25 250 V
stb16nm50n stf16nm50n sti16nm50n stp16nm50n stw16nm50n.pdf
STB16NM50N - STF/I16NM50NSTP16NM50N - STW16NM50NN-channel 500 V - 0.21 - 15 A MDmesh II Power MOSFETD2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FPFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB16NM50N 550 V 0.26 15 ADPAKIPAKSTI16NM50N 550 V 0.26 15 A3STF16NM50N 550 V 0.26 15 A (1)21STP16NM50N 550 V 0.26 15 ATO-247STW16NM50N 550
stp16nk65z stb16nk65z-s.pdf
STP16NK65ZSTB16NK65Z-SN-CHANNEL 650V - 0.38 - 13A TO-220 / I2SPAKZener - Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP16NK65Z 650 V
stb16nf06l.pdf
STB16NF06LN-channel 60V - 0.07 - 16A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB16NF06L 60V
stb16n65m5 std16n65m5.pdf
STB16N65M5STD16N65M5N-channel 650 V, 0.270 , 12 A MDmesh V Power MOSFETin DPAK, DPAKFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max.STB16N65M5710 V
stb16ne06.pdf
STB60NE06-16N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTB60NE06-1 60 V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
