STB16NS25T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB16NS25T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB16NS25T4 datasheet

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STB16NS25T4

STB16NS25 N-CHANNEL 250V - 0.23 - 16AD2PAK MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB16NS25 250 V

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STB16NS25T4

STB16NS25 N-CHANNEL 250V - 0.23 - 16AD2PAK MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB16NS25 250 V

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STB16NS25T4

STP16NK65Z STB16NK65Z-S N-CHANNEL 650V - 0.38 - 13A TO-220 / I2SPAK Zener - Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP16NK65Z 650 V

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STB16NS25T4

STB16NM50N - STF/I16NM50N STP16NM50N - STW16NM50N N-channel 500 V - 0.21 - 15 A MDmesh II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FP Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 3 1 2 1 STB16NM50N 550 V 0.26 15 A D PAK I PAK STI16NM50N 550 V 0.26 15 A 3 STF16NM50N 550 V 0.26 15 A (1) 2 1 STP16NM50N 550 V 0.26 15 A TO-247 STW16NM50N 550

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