Справочник MOSFET. STB16NS25T4

 

STB16NS25T4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB16NS25T4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STB16NS25T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  st
 stb16ns25t4.pdf pdf_icon

STB16NS25T4

STB16NS25N-CHANNEL 250V - 0.23 - 16AD2PAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB16NS25 250 V

 5.1. Size:469K  st
 stb16ns25.pdf pdf_icon

STB16NS25T4

STB16NS25N-CHANNEL 250V - 0.23 - 16AD2PAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB16NS25 250 V

 8.1. Size:294K  st
 stb16nk65z-s stp16nk65z.pdf pdf_icon

STB16NS25T4

STP16NK65ZSTB16NK65Z-SN-CHANNEL 650V - 0.38 - 13A TO-220 / I2SPAKZener - Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP16NK65Z 650 V

 8.2. Size:577K  st
 stb16nm50n stf16nm50n sti16nm50n stp16nm50n stw16nm50n.pdf pdf_icon

STB16NS25T4

STB16NM50N - STF/I16NM50NSTP16NM50N - STW16NM50NN-channel 500 V - 0.21 - 15 A MDmesh II Power MOSFETD2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FPFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB16NM50N 550 V 0.26 15 ADPAKIPAKSTI16NM50N 550 V 0.26 15 A3STF16NM50N 550 V 0.26 15 A (1)21STP16NM50N 550 V 0.26 15 ATO-247STW16NM50N 550

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI9435DY-T1 | SKI04024

 

 
Back to Top

 


 
.