STB20NK50ZT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB20NK50ZT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 328 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB20NK50ZT4 datasheet

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STB20NK50ZT4

STB20NK50Z N-channel 500 V, 0.23 , 17 A SuperMESH Power MOSFET Zener-protected in D PAK package Datasheet obsolete product Features RDS(on) Type VDSS ID PW max STB20NK50Z 500 V

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STB20NK50ZT4

STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

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stb20nm50-1 stb20nm50 stb20nm50t4 stp20nm50fp.pdf pdf_icon

STB20NK50ZT4

STB20NM50 - STB20NM50-1 STP20NM50 - STP20NM50FP N-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@TJmax) 3 3 2 STB20NM50 550V

Otros transistores... STB200NF03-1, STB200NF03T4, STB200NF04-1, STB200NF04L, STB200NF04L-1, STB200NF04T4, STB20N65M5, STB20N95K5, IRF9540N, STB20NM50, STB20NM50-1, STB20NM50FDT4, STB20NM50T4, STB20NM60-1, STB20NM60T4, STB21N90K5, STB21NM50N