STB20NK50ZT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB20NK50ZT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 328 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB20NK50ZT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB20NK50ZT4 даташит

 ..1. Size:428K  st
stb20nk50zt4.pdfpdf_icon

STB20NK50ZT4

STB20NK50Z N-channel 500 V, 0.23 , 17 A SuperMESH Power MOSFET Zener-protected in D PAK package Datasheet obsolete product Features RDS(on) Type VDSS ID PW max STB20NK50Z 500 V

 8.1. Size:442K  st
stb20nm60-1 stb20nm60t4.pdfpdf_icon

STB20NK50ZT4

STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

 8.2. Size:313K  st
stb20nm50-1 stb20nm50 stb20nm50t4 stp20nm50fp.pdfpdf_icon

STB20NK50ZT4

STB20NM50 - STB20NM50-1 STP20NM50 - STP20NM50FP N-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@TJmax) 3 3 2 STB20NM50 550V

Другие IGBT... STB200NF03-1, STB200NF03T4, STB200NF04-1, STB200NF04L, STB200NF04L-1, STB200NF04T4, STB20N65M5, STB20N95K5, IRF9540N, STB20NM50, STB20NM50-1, STB20NM50FDT4, STB20NM50T4, STB20NM60-1, STB20NM60T4, STB21N90K5, STB21NM50N