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STB20NM60T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB20NM60T4
   Código: B20NM60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 39 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB20NM60T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  st
 stb20nm60-1 stb20nm60t4.pdf pdf_icon

STB20NM60T4

STB20NM60-1 - STP20NM60FPSTB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID31STP20NM60 600V

 5.1. Size:286K  st
 stb20nm60d.pdf pdf_icon

STB20NM60T4

STB20NM60DN-channel 600V - 0.26 - 20A - D2PAKFDmesh Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTB20NM60D 600V

 5.2. Size:309K  st
 stb20nm60a-1 stp20nm60a stf20nm60a.pdf pdf_icon

STB20NM60T4

STB20NM60A-1STP20NM60A - STF20NM60AN-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 - 20A IPAK/TO-220/TO-220FPMDmesh MOSFETTYPE VDSS @Tjmax RDS(on) IDSTB20NM60A-1 650 V

 5.3. Size:444K  st
 stb20nm60 stp20nm60fp stp20nm60 stw20nm60.pdf pdf_icon

STB20NM60T4

STB20NM60-1 - STP20NM60FPSTB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID31STP20NM60 600V

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