STB20NM60T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB20NM60T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB20NM60T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB20NM60T4 даташит

 ..1. Size:442K  st
 stb20nm60-1 stb20nm60t4.pdf pdf_icon

STB20NM60T4

STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

 5.1. Size:286K  st
 stb20nm60d.pdf pdf_icon

STB20NM60T4

STB20NM60D N-channel 600V - 0.26 - 20A - D2PAK FDmesh Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STB20NM60D 600V

 5.2. Size:309K  st
 stb20nm60a-1 stp20nm60a stf20nm60a.pdf pdf_icon

STB20NM60T4

STB20NM60A-1 STP20NM60A - STF20NM60A N-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 - 20A I PAK/TO-220/TO-220FP MDmesh MOSFET TYPE VDSS @Tjmax RDS(on) ID STB20NM60A-1 650 V

 5.3. Size:444K  st
 stb20nm60 stp20nm60fp stp20nm60 stw20nm60.pdf pdf_icon

STB20NM60T4

STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB20N65M5, STB20N95K5, STB20NK50ZT4, STB20NM50, STB20NM50-1, STB20NM50FDT4, STB20NM50T4, STB20NM60-1, 4435, STB21N90K5, STB21NM50N, STB21NM50N-1, STB21NM60N, STB21NM60N-1, STB22NS25ZT4, STB23NM60N, STB24N60DM2