STB22NS25ZT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB22NS25ZT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB22NS25ZT4

STB22NS25ZT4 Datasheet (PDF)

..1. Size:309K st
stb22ns25zt4.pdf

STB22NS25Z - STP22NS25ZN-channel 250V - 0.13 - 22A - TO-220 / D2PAKZener-protected MESH OVERLAY Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB22NS25Z 250V

4.1. Size:316K st
stb22ns25z stp22ns25z.pdf

STB22NS25Z - STP22NS25ZN-channel 250V - 0.13 - 22A - TO-220 / D2PAKZener-protected MESH OVERLAY Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB22NS25Z 250V

8.1. Size:818K st
stb22nm60n stf22nm60n sti22nm60n stp22nm60n stw22nm60n.pdf

STB22NM60N, STF22NM60N, STI22NM60NSTP22NM60N, STW22NM60NN-channel 600 V, 0.2 , 16 A MDmesh II Power MOSFETin D2PAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.31332STB22NM60N 650 V

8.2. Size:593K st
stb22nm60n stf22nm60n stp22nm60n.pdf

STB22NM60N, STF22NM60N, STP22NM60NDatasheetN-channel 600 V, 0.20 typ., 16 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and TO-220 packagesFeaturesTABVDS @31 RDS(on)max. IDOrder code2D PAKTjmax.321TO-220FPTAB STB22NM60NSTF22NM60N 650 V 0.22 16 A32 STP22NM60N1TO-220 100% avalanche testedD(2, TAB) Low input capacitance and gate charg

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: