STB22NS25ZT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB22NS25ZT4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Encapsulados: D2PAK
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STB22NS25ZT4 datasheet
stb22ns25zt4.pdf
STB22NS25Z - STP22NS25Z N-channel 250V - 0.13 - 22A - TO-220 / D2PAK Zener-protected MESH OVERLAY Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB22NS25Z 250V
stb22ns25z stp22ns25z.pdf
STB22NS25Z - STP22NS25Z N-channel 250V - 0.13 - 22A - TO-220 / D2PAK Zener-protected MESH OVERLAY Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB22NS25Z 250V
stb22nm60n stf22nm60n stp22nm60n.pdf
STB22NM60N, STF22NM60N, STP22NM60N Datasheet N-channel 600 V, 0.20 typ., 16 A MDmesh II Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP and TO-220 packages Features TAB VDS @ 3 1 RDS(on)max. ID Order code 2 D PAK Tjmax. 3 2 1 TO-220FP TAB STB22NM60N STF22NM60N 650 V 0.22 16 A 3 2 STP22NM60N 1 TO-220 100% avalanche tested D(2, TAB) Low input capacitance and gate charg
Otros transistores... STB20NM50T4, STB20NM60-1, STB20NM60T4, STB21N90K5, STB21NM50N, STB21NM50N-1, STB21NM60N, STB21NM60N-1, 12N60, STB23NM60N, STB24N60DM2, STB24N60M2, STB24N65M2, STB25N80K5, STB25NM50N-1, STB25NM60N, STB25NM60N-1
History: BL7N70-U | IPA65R095C7
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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