STB22NS25ZT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB22NS25ZT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB22NS25ZT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB22NS25ZT4 даташит

 ..1. Size:309K  st
 stb22ns25zt4.pdf pdf_icon

STB22NS25ZT4

STB22NS25Z - STP22NS25Z N-channel 250V - 0.13 - 22A - TO-220 / D2PAK Zener-protected MESH OVERLAY Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB22NS25Z 250V

 4.1. Size:316K  st
 stb22ns25z stp22ns25z.pdf pdf_icon

STB22NS25ZT4

STB22NS25Z - STP22NS25Z N-channel 250V - 0.13 - 22A - TO-220 / D2PAK Zener-protected MESH OVERLAY Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB22NS25Z 250V

 8.1. Size:818K  st
 stb22nm60n stf22nm60n sti22nm60n stp22nm60n stw22nm60n.pdf pdf_icon

STB22NS25ZT4

 8.2. Size:593K  st
 stb22nm60n stf22nm60n stp22nm60n.pdf pdf_icon

STB22NS25ZT4

STB22NM60N, STF22NM60N, STP22NM60N Datasheet N-channel 600 V, 0.20 typ., 16 A MDmesh II Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP and TO-220 packages Features TAB VDS @ 3 1 RDS(on)max. ID Order code 2 D PAK Tjmax. 3 2 1 TO-220FP TAB STB22NM60N STF22NM60N 650 V 0.22 16 A 3 2 STP22NM60N 1 TO-220 100% avalanche tested D(2, TAB) Low input capacitance and gate charg

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB20NM50T4, STB20NM60-1, STB20NM60T4, STB21N90K5, STB21NM50N, STB21NM50N-1, STB21NM60N, STB21NM60N-1, 12N60, STB23NM60N, STB24N60DM2, STB24N60M2, STB24N65M2, STB25N80K5, STB25NM50N-1, STB25NM60N, STB25NM60N-1