STB33N65M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB33N65M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB33N65M2 datasheet

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 stb33n65m2 stf33n65m2 sti33n65m2 stp33n65m2.pdf pdf_icon

STB33N65M2

STB33N65M2, STF33N65M2, STP33N65M2, STI33N65M2 N-channel 650 V, 0.117 typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP, TO-220 and I PAK packages Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) Order codes VDS max ID STB33N65M2 3 3 1 2 1 STF33N65M2 TO-220FP D2PAK 650 V 0.14 24 A STP33N65M2 TAB TAB STI33N65M2 Extremely low gate charge Exce

 7.1. Size:1047K  st
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STB33N65M2

STB33N60M2 N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in a D2PAK package Datasheet - production data Features VDS @ RDS(on) TAB Order code ID TJmax max STB33N60M2 650 V 0.125 26 A 3 Extremely low gate charge 1 Lower RDS(on) x area vs previous generation D 2PAK MDmesh II technology Low gate input resistance 100% avalan

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 stb33n60dm2 stp33n60dm2 stw33n60dm2.pdf pdf_icon

STB33N65M2

STB33N60DM2, STP33N60DM2, STW33N60DM2 N-channel 600 V, 0.110 typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax. DS(on) D STB33N60DM2 650 V 0.130 24 A STP33N60DM2 650 V 0.130 24 A STW33N60DM2 650 V 0.130 24 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charg

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