Справочник MOSFET. STB33N65M2

 

STB33N65M2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STB33N65M2
   Маркировка: 33N65M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 41.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STB33N65M2

 

 

STB33N65M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:794K  st
 stb33n65m2 stf33n65m2 sti33n65m2 stp33n65m2.pdf

STB33N65M2 STB33N65M2

STB33N65M2, STF33N65M2,STP33N65M2, STI33N65M2N-channel 650 V, 0.117 typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABRDS(on) Order codes VDS max IDSTB33N65M233121STF33N65M2TO-220FPD2PAK650 V 0.14 24 ASTP33N65M2TAB TABSTI33N65M2 Extremely low gate charge Exce

 7.1. Size:1047K  st
 stb33n60m2.pdf

STB33N65M2 STB33N65M2

STB33N60M2N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in a D2PAK packageDatasheet - production dataFeaturesVDS @ RDS(on) TABOrder code IDTJmax maxSTB33N60M2 650 V 0.125 26 A3 Extremely low gate charge1 Lower RDS(on) x area vs previous generationD 2PAK MDmesh II technology Low gate input resistance 100% avalan

 7.2. Size:912K  st
 stb33n60dm2 stp33n60dm2 stw33n60dm2.pdf

STB33N65M2 STB33N65M2

STB33N60DM2, STP33N60DM2, STW33N60DM2 N-channel 600 V, 0.110 typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in DPAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax. DS(on) DSTB33N60DM2 650 V 0.130 24 A STP33N60DM2 650 V 0.130 24 A STW33N60DM2 650 V 0.130 24 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charg

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTA88N085T | SSM3K7002BFS

 

 
Back to Top