STB40N20 Todos los transistores

 

STB40N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB40N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STB40N20 Datasheet (PDF)

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 stb40n20 stb40n20 stp40n20 stp40n20fp stw40n20 stp40n20 stw40n20.pdf pdf_icon

STB40N20

STP40N20 - STF40N20STB40N20 - STW40N20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PW3STB40N20 200V

 8.1. Size:316K  st
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STB40N20

STB40NS15N-channel 150V - 0.045 - 40A - D2PAKMESH OVERLAY Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS ID(max)STB40NS15 150V

 8.2. Size:400K  st
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STB40N20

STB40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10L 100V

 8.3. Size:477K  st
 stp40nf20 stf40nf20 stb40nf20 stw40nf20.pdf pdf_icon

STB40N20

STP40NF20 - STF40NF20STB40NF20 - STW40NF20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PW3STB40NF20 200V

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History: IMW65R027M1H

 

 
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