STB40N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB40N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB40N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB40N20 даташит

 ..1. Size:501K  st
 stb40n20 stb40n20 stp40n20 stp40n20fp stw40n20 stp40n20 stw40n20.pdf pdf_icon

STB40N20

STP40N20 - STF40N20 STB40N20 - STW40N20 N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID PW 3 STB40N20 200V

 8.1. Size:316K  st
 stb40ns15t4.pdf pdf_icon

STB40N20

STB40NS15 N-channel 150V - 0.045 - 40A - D2PAK MESH OVERLAY Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID (max) STB40NS15 150V

 8.2. Size:400K  st
 stb40nf10l.pdf pdf_icon

STB40N20

STB40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10L 100V

 8.3. Size:477K  st
 stp40nf20 stf40nf20 stb40nf20 stw40nf20.pdf pdf_icon

STB40N20

STP40NF20 - STF40NF20 STB40NF20 - STW40NF20 N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID PW 3 STB40NF20 200V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB33N65M2, STB34N65M5, STB34NM60N, STB35NF10T4, STB36NF06LT4, STB36NM60ND, STB38N65M5, STB3NK60ZT4, 2N60, STB40N60M2, STB40NF10LT4, STB40NF10T4, STB40NS15T4, STB45N65M5, STB45NF06T4, STB46N30M5, STB46NF30