STB57N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB57N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB57N65M5 datasheet

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STB57N65M5

STB57N65M5, STF57N65M5, STI57N65M5, STP57N65M5 N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFET in I PAK, TO-220, TO-220FP and D PAK packages Datasheet production data Features TAB VDSS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max 3 1 3 STB57N65M5 2 1 D PAK STF57N65M5 710 V

 ..2. Size:203K  inchange semiconductor
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STB57N65M5

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STB57N65M5 FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIM

Otros transistores... STB45NF06T4, STB46N30M5, STB46NF30, STB4NK60ZT4, STB55NF03L-1, STB55NF06L-1, STB55NF06LT4, STB55NF06T4, IRFB7545, STB5NK50Z-1, STB5NK50ZT4, STB5NK52ZD-1, STB60NE06L-16T4, STB60NF06-1, STB60NF06LT4, STB60NF06T4, STB60NF10-1