STB57N65M5 Todos los transistores

 

STB57N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB57N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de STB57N65M5 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STB57N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1358K  st
 stb57n65m5 stf57n65m5 sti57n65m5 stp57n65m5.pdf pdf_icon

STB57N65M5

STB57N65M5, STF57N65M5, STI57N65M5, STP57N65M5N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFET in IPAK, TO-220, TO-220FP and DPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax max313STB57N65M521DPAKSTF57N65M5710 V

 ..2. Size:203K  inchange semiconductor
 stb57n65m5.pdf pdf_icon

STB57N65M5

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STB57N65M5FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIM

Otros transistores... STB45NF06T4 , STB46N30M5 , STB46NF30 , STB4NK60ZT4 , STB55NF03L-1 , STB55NF06L-1 , STB55NF06LT4 , STB55NF06T4 , 8N60 , STB5NK50Z-1 , STB5NK50ZT4 , STB5NK52ZD-1 , STB60NE06L-16T4 , STB60NF06-1 , STB60NF06LT4 , STB60NF06T4 , STB60NF10-1 .

History: AON6360 | IRFZ34N | HRU50N06K | NCE2012 | NCE1826K

 

 
Back to Top

 


 
.