STB57N65M5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STB57N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STB57N65M5
STB57N65M5 Datasheet (PDF)
stb57n65m5 stf57n65m5 sti57n65m5 stp57n65m5.pdf

STB57N65M5, STF57N65M5, STI57N65M5, STP57N65M5N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFET in IPAK, TO-220, TO-220FP and DPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax max313STB57N65M521DPAKSTF57N65M5710 V
stb57n65m5.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STB57N65M5FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIM
Другие MOSFET... STB45NF06T4 , STB46N30M5 , STB46NF30 , STB4NK60ZT4 , STB55NF03L-1 , STB55NF06L-1 , STB55NF06LT4 , STB55NF06T4 , 8N60 , STB5NK50Z-1 , STB5NK50ZT4 , STB5NK52ZD-1 , STB60NE06L-16T4 , STB60NF06-1 , STB60NF06LT4 , STB60NF06T4 , STB60NF10-1 .
History: IRFZ34N | CEP85A3 | HRU50N06K | NCE2012 | NCE1826K
History: IRFZ34N | CEP85A3 | HRU50N06K | NCE2012 | NCE1826K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219