STB57N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB57N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB57N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB57N65M5 даташит

 ..1. Size:1358K  st
 stb57n65m5 stf57n65m5 sti57n65m5 stp57n65m5.pdf pdf_icon

STB57N65M5

STB57N65M5, STF57N65M5, STI57N65M5, STP57N65M5 N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFET in I PAK, TO-220, TO-220FP and D PAK packages Datasheet production data Features TAB VDSS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max 3 1 3 STB57N65M5 2 1 D PAK STF57N65M5 710 V

 ..2. Size:203K  inchange semiconductor
 stb57n65m5.pdf pdf_icon

STB57N65M5

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STB57N65M5 FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIM

Другие IGBT... STB45NF06T4, STB46N30M5, STB46NF30, STB4NK60ZT4, STB55NF03L-1, STB55NF06L-1, STB55NF06LT4, STB55NF06T4, IRFB7545, STB5NK50Z-1, STB5NK50ZT4, STB5NK52ZD-1, STB60NE06L-16T4, STB60NF06-1, STB60NF06LT4, STB60NF06T4, STB60NF10-1