STB60NE06L-16T4 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STB60NE06L-16T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB60NE06L-16T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de STB60NE06L-16T4 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

0.1. Size:446K st
stb60ne06l-16t4.pdf pdf_icon

STB60NE06L-16 N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NE06L-16 60V

1.1. Size:450K st
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STB60NE06L-16 N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NE06L-16 60V

6.1. Size:51K st
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STB60NE03L-12 N - CHANNEL 30V - 0.009 - 60A - D2PAK "SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NE03L-12 30 V

6.2. Size:99K st
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