STB60NE06L-16T4 Todos los transistores

 

STB60NE06L-16T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB60NE06L-16T4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB60NE06L-16T4 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:446K  st
 stb60ne06l-16t4.pdf pdf_icon

STB60NE06L-16T4

STB60NE06L-16N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB60NE06L-16 60V

 1.1. Size:450K  st
 stb60ne06l-16.pdf pdf_icon

STB60NE06L-16T4

STB60NE06L-16N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB60NE06L-16 60V

 6.1. Size:51K  st
 stb60ne03l-12.pdf pdf_icon

STB60NE06L-16T4

STB60NE03L-12N - CHANNEL 30V - 0.009 - 60A - D2PAK "SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET PRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB60NE03L-12 30 V

 6.2. Size:99K  st
 stb60ne03l.pdf pdf_icon

STB60NE06L-16T4

STB60NE03L-10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(o n) IDSTB60NE03L-10 30 V

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History: RU55L18L | SSFK3208 | NCEP050N12D | STB38N65M5 | IRFR3518PBF | STB200NF04T4 | SWF8N65D

 

 
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