STB60NE06L-16T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB60NE06L-16T4
Código: B60NE06L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 15 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 55 nC
Tiempo de subida (tr): 155 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 590 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
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STB60NE06L-16T4 Datasheet (PDF)
stb60ne06l-16t4.pdf
STB60NE06L-16N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB60NE06L-16 60V
stb60ne06l-16.pdf
STB60NE06L-16N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB60NE06L-16 60V
stb60ne03l-12.pdf
STB60NE03L-12N - CHANNEL 30V - 0.009 - 60A - D2PAK "SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET PRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB60NE03L-12 30 V
stb60ne03l.pdf
STB60NE03L-10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(o n) IDSTB60NE03L-10 30 V
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