Справочник MOSFET. STB60NE06L-16T4

 

STB60NE06L-16T4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB60NE06L-16T4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 155 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB60NE06L-16T4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB60NE06L-16T4 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:446K  st
 stb60ne06l-16t4.pdf pdf_icon

STB60NE06L-16T4

STB60NE06L-16N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB60NE06L-16 60V

 1.1. Size:450K  st
 stb60ne06l-16.pdf pdf_icon

STB60NE06L-16T4

STB60NE06L-16N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB60NE06L-16 60V

 6.1. Size:51K  st
 stb60ne03l-12.pdf pdf_icon

STB60NE06L-16T4

STB60NE03L-12N - CHANNEL 30V - 0.009 - 60A - D2PAK "SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET PRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB60NE03L-12 30 V

 6.2. Size:99K  st
 stb60ne03l.pdf pdf_icon

STB60NE06L-16T4

STB60NE03L-10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(o n) IDSTB60NE03L-10 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STB55NF03L-1 , STB55NF06L-1 , STB55NF06LT4 , STB55NF06T4 , STB57N65M5 , STB5NK50Z-1 , STB5NK50ZT4 , STB5NK52ZD-1 , MMD60R360PRH , STB60NF06-1 , STB60NF06LT4 , STB60NF06T4 , STB60NF10-1 , STB60NF10T4 , STB60NH02LT4 , STB6N60M2 , STB6N62K3 .

History: SFW027N100C3 | FDBL0110N60 | NTTFS3A08PZ | APM1110NU | IRL3715S | NTR1P02L | MI4800

 

 
Back to Top

 


 
.