Справочник MOSFET. STB60NE06L-16T4

 

STB60NE06L-16T4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STB60NE06L-16T4
   Маркировка: B60NE06L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 55 nC
   Время нарастания (tr): 155 ns
   Выходная емкость (Cd): 590 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STB60NE06L-16T4

 

 

STB60NE06L-16T4 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:446K  st
stb60ne06l-16t4.pdf

STB60NE06L-16T4
STB60NE06L-16T4

STB60NE06L-16N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB60NE06L-16 60V

 1.1. Size:450K  st
stb60ne06l-16.pdf

STB60NE06L-16T4
STB60NE06L-16T4

STB60NE06L-16N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB60NE06L-16 60V

 6.1. Size:51K  st
stb60ne03l-12.pdf

STB60NE06L-16T4
STB60NE06L-16T4

STB60NE03L-12N - CHANNEL 30V - 0.009 - 60A - D2PAK "SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET PRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB60NE03L-12 30 V

 6.2. Size:99K  st
stb60ne03l.pdf

STB60NE06L-16T4
STB60NE06L-16T4

STB60NE03L-10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(o n) IDSTB60NE03L-10 30 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top