STB60NE06L-16T4 - аналоги, параметры транзистора

STB60NE06L-16T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB60NE06L-16T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 155 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB60NE06L-16T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

0.1. Size:446K st
stb60ne06l-16t4.pdf pdf_icon

STB60NE06L-16 N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NE06L-16 60V

1.1. Size:450K st
stb60ne06l-16.pdf pdf_icon

STB60NE06L-16 N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NE06L-16 60V

6.1. Size:51K st
stb60ne03l-12.pdf pdf_icon

STB60NE03L-12 N - CHANNEL 30V - 0.009 - 60A - D2PAK "SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NE03L-12 30 V

6.2. Size:99K st
stb60ne03l.pdf pdf_icon