STB60NH02LT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB60NH02LT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: TO-263

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STB60NH02LT4 datasheet

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STB60NH02LT4

STB60NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0085 - 60A D PAK STripFET III POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NH02L 24 V

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STB60NH02LT4

STB60NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0085 - 60A D PAK STripFET III POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NH02L 24 V

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STB60NH02LT4

STB60NE03L-12 N - CHANNEL 30V - 0.009 - 60A - D2PAK "SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NE03L-12 30 V

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STB60NH02LT4

STB60NF06 N-CHANNEL 60V - 0.014 - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NF06 60V

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