STB60NH02LT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB60NH02LT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для STB60NH02LT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB60NH02LT4 даташит

 ..1. Size:568K  st
 stb60nh02lt4.pdf pdf_icon

STB60NH02LT4

STB60NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0085 - 60A D PAK STripFET III POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NH02L 24 V

 4.1. Size:580K  st
 stb60nh02l.pdf pdf_icon

STB60NH02LT4

STB60NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0085 - 60A D PAK STripFET III POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NH02L 24 V

 8.1. Size:51K  st
 stb60ne03l-12.pdf pdf_icon

STB60NH02LT4

STB60NE03L-12 N - CHANNEL 30V - 0.009 - 60A - D2PAK "SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NE03L-12 30 V

 8.2. Size:425K  st
 stb60nf06.pdf pdf_icon

STB60NH02LT4

STB60NF06 N-CHANNEL 60V - 0.014 - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NF06 60V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB5NK50ZT4, STB5NK52ZD-1, STB60NE06L-16T4, STB60NF06-1, STB60NF06LT4, STB60NF06T4, STB60NF10-1, STB60NF10T4, AO4468, STB6N60M2, STB6N62K3, STB6N65M2, STB6N80K5, STB6NK60ZT4, STB6NK90ZT4, STB6NM60N, STB70N10F4