STB6NM60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB6NM60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.92 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB6NM60N datasheet

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STB6NM60N

STx6NM60N N-channel 600 V, 0.85 , 4.6 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 STB6NM60N 650 V

 ..2. Size:685K  st
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STB6NM60N

STx6NM60N N-channel 600 V, 0.85 , 4.6 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 STB6NM60N 650 V

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STB6NM60N

STP6NC80Z - STP6NC80ZFP STB6NC80Z - STB6NC80Z-1 N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/D PAK/I PAK Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NC80Z/FP 800V

 9.2. Size:130K  st
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STB6NM60N

STB6NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on ) D STB6NA60 600 V

Otros transistores... STB60NF10T4, STB60NH02LT4, STB6N60M2, STB6N62K3, STB6N65M2, STB6N80K5, STB6NK60ZT4, STB6NK90ZT4, IRF540N, STB70N10F4, STB70NF03LT4, STB70NF3LLT4, STB70NFS03LT4, STB70NH03LT4, STB75N20, STB75NF75LT4, STB75NF75T4