Справочник MOSFET. STB6NM60N

 

STB6NM60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB6NM60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.92 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB6NM60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB6NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:692K  st
stb6nm60n std6nm60n-1 std6nm60n stf6nm60n stp6nm60n.pdfpdf_icon

STB6NM60N

STx6NM60NN-channel 600 V, 0.85 , 4.6 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33STB6NM60N 650 V

 ..2. Size:685K  st
stb6nm60n std6nm60n stf6nm60n stp6nm60n.pdfpdf_icon

STB6NM60N

STx6NM60NN-channel 600 V, 0.85 , 4.6 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33STB6NM60N 650 V

 9.1. Size:532K  st
stb6nc80z stp6nc80z.pdfpdf_icon

STB6NM60N

STP6NC80Z - STP6NC80ZFPSTB6NC80Z - STB6NC80Z-1N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAKZener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NC80Z/FP 800V

 9.2. Size:130K  st
stb6na60.pdfpdf_icon

STB6NM60N

STB6NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on ) DSTB6NA60 600 V

Другие MOSFET... STB60NF10T4 , STB60NH02LT4 , STB6N60M2 , STB6N62K3 , STB6N65M2 , STB6N80K5 , STB6NK60ZT4 , STB6NK90ZT4 , IRF540 , STB70N10F4 , STB70NF03LT4 , STB70NF3LLT4 , STB70NFS03LT4 , STB70NH03LT4 , STB75N20 , STB75NF75LT4 , STB75NF75T4 .

History: KIA2906A-220 | TMD8N60H | IRL3705NSPBF | FDMC8010 | SFP120N80A | IRFB4410PBF | TMA20N65HG

 

 
Back to Top

 


 
.