STB7ANM60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB7ANM60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB7ANM60N datasheet

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STB7ANM60N

STB7ANM60N, STD7ANM60N Automotive-grade N-channel 600 V, 5 A, 0.84 typ., MDmesh II Power MOSFETs in D2PAK and DPAK packages Datasheet - production data Features Order codes VDS @ Tjmax RDS(on) max. ID TAB STB7ANM60N 650 V 0.9 5 A TAB STD7ANM60N 2 Designed for automotive applications and 3 3 1 1 AEC-Q101 qualified 2 DPAK D PAK 100% avalanche tested

Otros transistores... STB70NF3LLT4, STB70NFS03LT4, STB70NH03LT4, STB75N20, STB75NF75LT4, STB75NF75T4, STB75NH02LT4, STB76NF80, AO3400, STB7NK80ZT4, STB80NE03L-06T4, STB80NF03L-04-1, STB80NF06, STB80NF10T4, STB80NF55-06-1, STB80NF55-06T, STB80NF55-06T4