Справочник MOSFET. STB7ANM60N

 

STB7ANM60N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STB7ANM60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STB7ANM60N

 

 

STB7ANM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1143K  st
 stb7anm60n std7anm60n.pdf

STB7ANM60N STB7ANM60N

STB7ANM60N, STD7ANM60NAutomotive-grade N-channel 600 V, 5 A, 0.84 typ., MDmesh II Power MOSFETs in D2PAK and DPAK packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ Tjmax RDS(on) max. IDTABSTB7ANM60N650 V 0.9 5 A TAB STD7ANM60N2 Designed for automotive applications and 3311AEC-Q101 qualified2DPAKD PAK 100% avalanche tested

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top