STB7ANM60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB7ANM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 24.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB7ANM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB7ANM60N даташит

 ..1. Size:1143K  st
 stb7anm60n std7anm60n.pdf pdf_icon

STB7ANM60N

STB7ANM60N, STD7ANM60N Automotive-grade N-channel 600 V, 5 A, 0.84 typ., MDmesh II Power MOSFETs in D2PAK and DPAK packages Datasheet - production data Features Order codes VDS @ Tjmax RDS(on) max. ID TAB STB7ANM60N 650 V 0.9 5 A TAB STD7ANM60N 2 Designed for automotive applications and 3 3 1 1 AEC-Q101 qualified 2 DPAK D PAK 100% avalanche tested

Другие IGBT... STB70NF3LLT4, STB70NFS03LT4, STB70NH03LT4, STB75N20, STB75NF75LT4, STB75NF75T4, STB75NH02LT4, STB76NF80, AO3400, STB7NK80ZT4, STB80NE03L-06T4, STB80NF03L-04-1, STB80NF06, STB80NF10T4, STB80NF55-06-1, STB80NF55-06T, STB80NF55-06T4