Справочник MOSFET. STB7ANM60N

 

STB7ANM60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB7ANM60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB7ANM60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB7ANM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1143K  st
 stb7anm60n std7anm60n.pdf pdf_icon

STB7ANM60N

STB7ANM60N, STD7ANM60NAutomotive-grade N-channel 600 V, 5 A, 0.84 typ., MDmesh II Power MOSFETs in D2PAK and DPAK packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ Tjmax RDS(on) max. IDTABSTB7ANM60N650 V 0.9 5 A TAB STD7ANM60N2 Designed for automotive applications and 3311AEC-Q101 qualified2DPAKD PAK 100% avalanche tested

Другие MOSFET... STB70NF3LLT4 , STB70NFS03LT4 , STB70NH03LT4 , STB75N20 , STB75NF75LT4 , STB75NF75T4 , STB75NH02LT4 , STB76NF80 , IRF3710 , STB7NK80ZT4 , STB80NE03L-06T4 , STB80NF03L-04-1 , STB80NF06 , STB80NF10T4 , STB80NF55-06-1 , STB80NF55-06T , STB80NF55-06T4 .

History: SI3585DV-T1 | SIR874DP | WMM07N60C4 | HTMN5130SSD | WSD3028DN | 1H10 | SSP7440N

 

 
Back to Top

 


 
.