STB80NE03L-06T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB80NE03L-06T4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 260 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
- Selección de transistores por parámetros
STB80NE03L-06T4 Datasheet (PDF)
stb80ne03l-06t4.pdf

STB80NE03L-06N-channel 30V - 0.005 - 85A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NE03L-06 30V
stb80ne03l-06.pdf

STB80NE03L-06N-channel 30V - 0.005 - 85A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NE03L-06 30V
stb80ne03l.pdf

STB80NE03L-06 N - CHANNEL 30V - 0.005 - 80A - D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(o n) IDSTB80NE03L-06 30 V
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: WM02DN50M3 | IRF624A | 2SK2803 | NCEP1290AK | FQB27N25TMAM002 | DMC2041UFDB | SMP40N10
History: WM02DN50M3 | IRF624A | 2SK2803 | NCEP1290AK | FQB27N25TMAM002 | DMC2041UFDB | SMP40N10



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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