STB80NE03L-06T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB80NE03L-06T4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 260 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de STB80NE03L-06T4 MOSFET
STB80NE03L-06T4 Datasheet (PDF)
stb80ne03l-06t4.pdf

STB80NE03L-06N-channel 30V - 0.005 - 85A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NE03L-06 30V
stb80ne03l-06.pdf

STB80NE03L-06N-channel 30V - 0.005 - 85A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NE03L-06 30V
stb80ne03l.pdf

STB80NE03L-06 N - CHANNEL 30V - 0.005 - 80A - D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(o n) IDSTB80NE03L-06 30 V
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History: CEBF640 | IRF3708 | STB75NF75T4
History: CEBF640 | IRF3708 | STB75NF75T4



Liste
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