STB80NE03L-06T4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB80NE03L-06T4
Маркировка: B80NE03L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 95 nC
Время нарастания (tr): 260 ns
Выходная емкость (Cd): 1500 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STB80NE03L-06T4
STB80NE03L-06T4 Datasheet (PDF)
stb80ne03l-06t4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STB80NE03L-06N-channel 30V - 0.005 - 85A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NE03L-06 30V
stb80ne03l-06.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STB80NE03L-06N-channel 30V - 0.005 - 85A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NE03L-06 30V
stb80ne03l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STB80NE03L-06 N - CHANNEL 30V - 0.005 - 80A - D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(o n) IDSTB80NE03L-06 30 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![STB80NE03L-06T4](https://alltransistors.com/images/us.png)
![STB80NE03L-06T4](https://alltransistors.com/images/es.png)
![STB80NE03L-06T4](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C