STB80NE03L-06T4 - аналоги, параметры транзистора

STB80NE03L-06T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB80NE03L-06T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 260 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB80NE03L-06T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

0.1. Size:431K st
stb80ne03l-06t4.pdf pdf_icon

STB80NE03L-06 N-channel 30V - 0.005 - 85A - D2PAK STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NE03L-06 30V

1.1. Size:436K st
stb80ne03l-06.pdf pdf_icon

STB80NE03L-06 N-channel 30V - 0.005 - 85A - D2PAK STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NE03L-06 30V

4.1. Size:84K st
stb80ne03l.pdf pdf_icon