STB80NE03L-06T4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STB80NE03L-06T4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 260 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STB80NE03L-06T4
STB80NE03L-06T4 Datasheet (PDF)
stb80ne03l-06t4.pdf
STB80NE03L-06N-channel 30V - 0.005 - 85A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NE03L-06 30V
stb80ne03l-06.pdf
STB80NE03L-06N-channel 30V - 0.005 - 85A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NE03L-06 30V
stb80ne03l.pdf
STB80NE03L-06 N - CHANNEL 30V - 0.005 - 80A - D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(o n) IDSTB80NE03L-06 30 V
Другие MOSFET... STB70NH03LT4 , STB75N20 , STB75NF75LT4 , STB75NF75T4 , STB75NH02LT4 , STB76NF80 , STB7ANM60N , STB7NK80ZT4 , P55NF06 , STB80NF03L-04-1 , STB80NF06 , STB80NF10T4 , STB80NF55-06-1 , STB80NF55-06T , STB80NF55-06T4 , STB80NF55-08-1 , STB80NF55L-08 .
History: IRLZ14L | IRHQ597110 | IRF7504PBF
History: IRLZ14L | IRHQ597110 | IRF7504PBF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992