Справочник MOSFET. STB80NE03L-06T4

 

STB80NE03L-06T4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STB80NE03L-06T4
   Маркировка: B80NE03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 95 nC
   Время нарастания (tr): 260 ns
   Выходная емкость (Cd): 1500 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STB80NE03L-06T4

 

 

STB80NE03L-06T4 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:431K  st
stb80ne03l-06t4.pdf

STB80NE03L-06T4 STB80NE03L-06T4

STB80NE03L-06N-channel 30V - 0.005 - 85A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NE03L-06 30V

 1.1. Size:436K  st
stb80ne03l-06.pdf

STB80NE03L-06T4 STB80NE03L-06T4

STB80NE03L-06N-channel 30V - 0.005 - 85A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NE03L-06 30V

 4.1. Size:84K  st
stb80ne03l.pdf

STB80NE03L-06T4 STB80NE03L-06T4

STB80NE03L-06 N - CHANNEL 30V - 0.005 - 80A - D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(o n) IDSTB80NE03L-06 30 V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top