STC4606 Todos los transistores

 

STC4606 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STC4606
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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STC4606 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:888K  stansontech
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STC4606

STC4606 N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 6.0A / -6.0A DESCRIPTION The STC4606 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage application

 9.1. Size:1529K  stansontech
 stc4614.pdf pdf_icon

STC4606

STC4614 N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 10.0A / -10.0A DESCRIPTION The STC4614 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage application

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History: IRF9640L | IRFHM830TRPBF | 2SK947-MR

 

 
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