Справочник MOSFET. STC4606

 

STC4606 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STC4606
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.1 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для STC4606

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STC4606 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:888K  stansontech
 stc4606.pdf pdf_icon

STC4606

STC4606 N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 6.0A / -6.0A DESCRIPTION The STC4606 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage application

 9.1. Size:1529K  stansontech
 stc4614.pdf pdf_icon

STC4606

STC4614 N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 10.0A / -10.0A DESCRIPTION The STC4614 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage application

Другие MOSFET... IRFU4615PBF , IRFU4620PBF , IRFU48ZPBF , IRFU5305PBF , STC4516 , STC4539 , STC4545 , STC4567 , IRF540 , STC4614 , STC6332 , STC6602 , STC6614 , STD100N03LT4 , STD100N10F7 , STD100NH02LT4 , STD100NH03LT4 .

History: AP80SL650AI | 2SK3604-01S

 

 
Back to Top

 


 
.