STC6332 Todos los transistores

 

STC6332 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STC6332
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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STC6332 Datasheet (PDF)

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STC6332

STC6332STC6332STC6332STC6332N&P Pair Enhancement Mode MOSFET0.95A / -1ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONThe STC6332 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistorusing high cell density DMOS trench technology. This high density process isespecially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switchingperformance. This d

 9.1. Size:917K  stansontech
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STC6332

STC6301D N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 23.0A / -18.0A DESCRIPTION The STC6301D is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage applicati

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History: TPU65R600M | NVTFS6H850N | SIB914DK | RU30160S | 4N65KG-TF2-T | TSP120N10AT | AOTF12N65L

 

 
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