STC6332 - описание и поиск аналогов

 

STC6332. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STC6332

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для STC6332

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STC6332 даташит

 ..1. Size:409K  stansontech
 stc6332.pdf pdf_icon

STC6332

STC6332 STC6332 STC6332 STC6332 N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 0.95A / -1A DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION The STC6332 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This d

 9.1. Size:917K  stansontech
 stc6301d.pdf pdf_icon

STC6332

STC6301D N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 23.0A / -18.0A DESCRIPTION The STC6301D is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage applicati

Другие MOSFET... IRFU48ZPBF , IRFU5305PBF , STC4516 , STC4539 , STC4545 , STC4567 , STC4606 , STC4614 , 50N06 , STC6602 , STC6614 , STD100N03LT4 , STD100N10F7 , STD100NH02LT4 , STD100NH03LT4 , STD105N10F7AG , STD10N60M2 .

History: 2SK2229 | 2SK2162

 

 

 

 

↑ Back to Top
.