Справочник MOSFET. STC6332

 

STC6332 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STC6332
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для STC6332

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STC6332 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:409K  stansontech
 stc6332.pdf pdf_icon

STC6332

STC6332STC6332STC6332STC6332N&P Pair Enhancement Mode MOSFET0.95A / -1ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONThe STC6332 is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistorusing high cell density DMOS trench technology. This high density process isespecially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switchingperformance. This d

 9.1. Size:917K  stansontech
 stc6301d.pdf pdf_icon

STC6332

STC6301D N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 23.0A / -18.0A DESCRIPTION The STC6301D is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage applicati

Другие MOSFET... IRFU48ZPBF , IRFU5305PBF , STC4516 , STC4539 , STC4545 , STC4567 , STC4606 , STC4614 , 50N06 , STC6602 , STC6614 , STD100N03LT4 , STD100N10F7 , STD100NH02LT4 , STD100NH03LT4 , STD105N10F7AG , STD10N60M2 .

 

 
Back to Top

 


 
.