STD100NH02LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STD100NH02LT4
   Código: D100NH02L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 62 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1020 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD100NH02LT4

STD100NH02LT4 Datasheet (PDF)

..1. Size:488K st
std100nh02lt4.pdf

STD100NH02LSTD100NH02L-1N-channel 24V - 0.0042 - 60A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD100NH02L 24V

3.1. Size:489K st
std100nh02l.pdf

STD100NH02LSTD100NH02L-1N-channel 24V - 0.0042 - 60A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD100NH02L 24V

5.1. Size:488K st
std100nh03lt4.pdf

STD100NH03LN-channel 30V - 0.005 - 60A - DPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD100NH03L 30V

7.1. Size:331K st
std100n3lf3.pdf

STD100N3LF3N-channel 30 V, 0.0045 , 80 A, DPAKplanar STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSSS RDS(on) ID PwSTD100N3LF3 30 V

7.2. Size:1657K st
stb100n10f7 std100n10f7 stf100n10f7 stf100n10f7 stp100n10f7.pdf

STB100N10F7, STD100N10F7, STF100N10F7, STP100N10F7N-channel 100 V, 0.0068 typ., 80 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP and TO-220Datasheet - production dataFeaturesTAB TABRDS(on) 3Order codes VDS max ID PTOT131 DPAKSTB100N10F7 80 A 120 WD2PAKSTD100N10F7 80 A 120WTAB100 V 0.008 STF100N10F7 45 A 30 WSTP100N10F7 80A 150 W

7.3. Size:648K st
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STB100N10F7, STD100N10F7, STF100N10F7STI100N10F7, STP100N10F7DatasheetN-channel 100 V, 6.8 m typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO-220FP, I2PAK and TO-220 packagesTABTAB Features2 31VDS RDS(on) max. IDOrder codes Package31D2PAK DPAKSTB100N10F7 80 AD2PAKTAB TABSTD100N10F7 80 A DPAKSTF100N10F7 100 V 8.0 m 45 A TO-220FP33231 2

7.4. Size:457K st
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STD100N03LSTD100N03L-1N-channel 30V - 0.0045 - 80A - DPAK - IPAKPlanar STripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDType PwSTD100N03L 30 V

7.5. Size:243K inchange semiconductor
std100n10f7.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor STD100N10F7FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100 VDSSV Gat

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