STD100NH02LT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD100NH02LT4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1020 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
Encapsulados: DPAK
Búsqueda de reemplazo de STD100NH02LT4 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
STD100NH02LT4 datasheet
std100nh02lt4.pdf
STD100NH02L STD100NH02L-1 N-channel 24V - 0.0042 - 60A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET General features VDSSS RDS(on) ID Type STD100NH02L 24V
std100nh02l.pdf
STD100NH02L STD100NH02L-1 N-channel 24V - 0.0042 - 60A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET General features VDSSS RDS(on) ID Type STD100NH02L 24V
std100nh03lt4.pdf
STD100NH03L N-channel 30V - 0.005 - 60A - DPAK STripFET III Power MOSFET General features VDSSS RDS(on) ID Type STD100NH03L 30V
std100n3lf3.pdf
STD100N3LF3 N-channel 30 V, 0.0045 , 80 A, DPAK planar STripFET II Power MOSFET Features Type VDSSS RDS(on) ID Pw STD100N3LF3 30 V
Otros transistores... STC4567 , STC4606 , STC4614 , STC6332 , STC6602 , STC6614 , STD100N03LT4 , STD100N10F7 , IRLZ44N , STD100NH03LT4 , STD105N10F7AG , STD10N60M2 , STD10NF10-1 , STD10NF10T4 , STD10NF30 , STD10P6F6 , STD10PF06-1 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet