STD100NH02LT4 Todos los transistores

 

STD100NH02LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD100NH02LT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1020 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD100NH02LT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:488K  st
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STD100NH02LT4

STD100NH02LSTD100NH02L-1N-channel 24V - 0.0042 - 60A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD100NH02L 24V

 3.1. Size:489K  st
 std100nh02l.pdf pdf_icon

STD100NH02LT4

STD100NH02LSTD100NH02L-1N-channel 24V - 0.0042 - 60A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD100NH02L 24V

 5.1. Size:488K  st
 std100nh03lt4.pdf pdf_icon

STD100NH02LT4

STD100NH03LN-channel 30V - 0.005 - 60A - DPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD100NH03L 30V

 7.1. Size:331K  st
 std100n3lf3.pdf pdf_icon

STD100NH02LT4

STD100N3LF3N-channel 30 V, 0.0045 , 80 A, DPAKplanar STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSSS RDS(on) ID PwSTD100N3LF3 30 V

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History: JCS15N60SH | IRLR2908 | GKI03039 | IRF7700

 

 
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