Справочник MOSFET. STD100NH02LT4

 

STD100NH02LT4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD100NH02LT4
   Маркировка: D100NH02L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 62 nC
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1020 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STD100NH02LT4

 

 

STD100NH02LT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:488K  st
 std100nh02lt4.pdf

STD100NH02LT4 STD100NH02LT4

STD100NH02LSTD100NH02L-1N-channel 24V - 0.0042 - 60A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD100NH02L 24V

 3.1. Size:489K  st
 std100nh02l.pdf

STD100NH02LT4 STD100NH02LT4

STD100NH02LSTD100NH02L-1N-channel 24V - 0.0042 - 60A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD100NH02L 24V

 5.1. Size:488K  st
 std100nh03lt4.pdf

STD100NH02LT4 STD100NH02LT4

STD100NH03LN-channel 30V - 0.005 - 60A - DPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD100NH03L 30V

 7.1. Size:331K  st
 std100n3lf3.pdf

STD100NH02LT4 STD100NH02LT4

STD100N3LF3N-channel 30 V, 0.0045 , 80 A, DPAKplanar STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSSS RDS(on) ID PwSTD100N3LF3 30 V

 7.2. Size:1657K  st
 stb100n10f7 std100n10f7 stf100n10f7 stf100n10f7 stp100n10f7.pdf

STD100NH02LT4 STD100NH02LT4

STB100N10F7, STD100N10F7, STF100N10F7, STP100N10F7N-channel 100 V, 0.0068 typ., 80 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP and TO-220Datasheet - production dataFeaturesTAB TABRDS(on) 3Order codes VDS max ID PTOT131 DPAKSTB100N10F7 80 A 120 WD2PAKSTD100N10F7 80 A 120WTAB100 V 0.008 STF100N10F7 45 A 30 WSTP100N10F7 80A 150 W

 7.3. Size:648K  st
 stb100n10f7 std100n10f7 stf100n10f7 sti100n10f7 stp100n10f7.pdf

STD100NH02LT4 STD100NH02LT4

STB100N10F7, STD100N10F7, STF100N10F7STI100N10F7, STP100N10F7DatasheetN-channel 100 V, 6.8 m typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO-220FP, I2PAK and TO-220 packagesTABTAB Features2 31VDS RDS(on) max. IDOrder codes Package31D2PAK DPAKSTB100N10F7 80 AD2PAKTAB TABSTD100N10F7 80 A DPAKSTF100N10F7 100 V 8.0 m 45 A TO-220FP33231 2

 7.4. Size:457K  st
 std100n03lt4.pdf

STD100NH02LT4 STD100NH02LT4

STD100N03LSTD100N03L-1N-channel 30V - 0.0045 - 80A - DPAK - IPAKPlanar STripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDType PwSTD100N03L 30 V

 7.5. Size:243K  inchange semiconductor
 std100n10f7.pdf

STD100NH02LT4 STD100NH02LT4

isc N-Channel MOSFET Transistor STD100N10F7FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100 VDSSV Gat

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top