STD110N8F6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STD110N8F6
   Código: 110N8F6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 150 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD110N8F6

STD110N8F6 Datasheet (PDF)

..1. Size:626K st
std110n8f6.pdf

STD110N8F6N-channel 80 V, 0.0056 typ.,80 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max ID PTOTTABSTD110N8F6 80 V 0.0065 80 A 167 W32 Very low on-resistance 1 Very low gate charge High avalanche ruggedness DPAK Low gate drive power lossApplicationsFigure 1. Internal schematic diagr

7.1. Size:466K st
std110nh02l.pdf

STD110NH02LN-channel 24V - 0.0044 - 80A - DPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD110NH02L 24V

7.2. Size:479K st
std110nh02lt4.pdf

STD110NH02LN-channel 24V - 0.0044 - 80A - DPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD110NH02L 24V

7.3. Size:131K onsemi
ntd110n02rg std110n02rt4g.pdf

NTD110N02R, STD110N02RPower MOSFET24 V, 110 A, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Losshttp://onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge24 V 4.1 mW @ 10 V 110 A Optimized for High Side Switching Requirements inHigh-Efficiency DC-DC Converter

7.4. Size:93K onsemi
std110n02r.pdf

NTD110N02R, STD110N02RPower MOSFET24 V, 110 A, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performancehttp://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge24 V 4.1 mW @ 10 V 110 A Optimized for High Side Switching Requirements inHigh-Efficiency DC-DC Converter

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Liste

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