STD110N8F6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD110N8F6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Encapsulados: DPAK
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STD110N8F6 datasheet
std110n8f6.pdf
STD110N8F6 N-channel 80 V, 0.0056 typ.,80 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max ID PTOT TAB STD110N8F6 80 V 0.0065 80 A 167 W 3 2 Very low on-resistance 1 Very low gate charge High avalanche ruggedness DPAK Low gate drive power loss Applications Figure 1. Internal schematic diagr
std110nh02l.pdf
STD110NH02L N-channel 24V - 0.0044 - 80A - DPAK STripFET III Power MOSFET General features VDSSS RDS(on) ID Type STD110NH02L 24V
std110nh02lt4.pdf
STD110NH02L N-channel 24V - 0.0044 - 80A - DPAK STripFET III Power MOSFET General features VDSSS RDS(on) ID Type STD110NH02L 24V
ntd110n02rg std110n02rt4g.pdf
NTD110N02R, STD110N02R Power MOSFET 24 V, 110 A, N-Channel DPAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss http //onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver Loss V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge 24 V 4.1 mW @ 10 V 110 A Optimized for High Side Switching Requirements in High-Efficiency DC-DC Converter
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History: STD110NH02LT4 | 2SK1544
History: STD110NH02LT4 | 2SK1544
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