Справочник MOSFET. STD110N8F6

 

STD110N8F6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD110N8F6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STD110N8F6

 

 

STD110N8F6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:626K  st
 std110n8f6.pdf

STD110N8F6 STD110N8F6

STD110N8F6N-channel 80 V, 0.0056 typ.,80 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max ID PTOTTABSTD110N8F6 80 V 0.0065 80 A 167 W32 Very low on-resistance 1 Very low gate charge High avalanche ruggedness DPAK Low gate drive power lossApplicationsFigure 1. Internal schematic diagr

 7.1. Size:466K  st
 std110nh02l.pdf

STD110N8F6 STD110N8F6

STD110NH02LN-channel 24V - 0.0044 - 80A - DPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD110NH02L 24V

 7.2. Size:479K  st
 std110nh02lt4.pdf

STD110N8F6 STD110N8F6

STD110NH02LN-channel 24V - 0.0044 - 80A - DPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD110NH02L 24V

 7.3. Size:131K  onsemi
 ntd110n02rg std110n02rt4g.pdf

STD110N8F6 STD110N8F6

NTD110N02R, STD110N02RPower MOSFET24 V, 110 A, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Losshttp://onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge24 V 4.1 mW @ 10 V 110 A Optimized for High Side Switching Requirements inHigh-Efficiency DC-DC Converter

 7.4. Size:93K  onsemi
 std110n02r.pdf

STD110N8F6 STD110N8F6

NTD110N02R, STD110N02RPower MOSFET24 V, 110 A, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performancehttp://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge24 V 4.1 mW @ 10 V 110 A Optimized for High Side Switching Requirements inHigh-Efficiency DC-DC Converter

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top