STD1HN60K3 Todos los transistores

 

STD1HN60K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD1HN60K3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD1HN60K3 datasheet

 ..1. Size:1441K  st
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STD1HN60K3

STD1HN60K3, STU1HN60K3 N-channel 600 V, 6.7 typ., 1.2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK and IPAK packages Datasheet - production data Features RDS(on) Order codes VDS max ID PTOT STD1HN60K3 TAB TAB 600 V 8 1.2 A 27 W STU1HN60K3 3 3 1 2 1 100% avalanche tested DPAK IPAK Extremely high dv/dt capability Gate charge minimized Very low intrinsic capac

 8.1. Size:268K  st
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STD1HN60K3

STD1HNC60 N-CHANNEL 600V - 4 - 2A - IPAK/DPAK PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD1HNC60 600 V

 8.2. Size:190K  st
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STD1HN60K3

STD1HNC60 N-CHANNEL 600V - 4 - 2A - IPAK/DPAK PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD1HNC60 600 V

Otros transistores... STD16N65M2 , STD16NF06L-1 , STD16NF06LT4 , STD16NF06T4 , STD17NF03L-1 , STD17NF03LT4 , STD18N65M5 , STD19NF20 , TK10A60D , STD1HNC60T4 , STD1NK60-1 , STD1NK60T4 , STD1NK80Z-1 , STD1NK80ZT4 , STD20NF06LT4 , STD20NF06T4 , STD20NF10T4 .

History: STWA48N60M2 | PMF250XN | STD24N06LT4G | BR4953D | SM4309PSKP | MDV5524URH | SM6128NSKP

 

 

 

 

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