STD1HN60K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STD1HN60K3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD1HN60K3
STD1HN60K3 Datasheet (PDF)
std1hn60k3 stu1hn60k3.pdf
STD1HN60K3, STU1HN60K3N-channel 600 V, 6.7 typ., 1.2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDS max ID PTOTSTD1HN60K3TABTAB600 V 8 1.2 A 27 WSTU1HN60K333121 100% avalanche testedDPAKIPAK Extremely high dv/dt capability Gate charge minimized Very low intrinsic capac
std1hnc60.pdf
STD1HNC60N-CHANNEL 600V - 4 - 2A - IPAK/DPAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD1HNC60 600 V
std1hnc60t4.pdf
STD1HNC60N-CHANNEL 600V - 4 - 2A - IPAK/DPAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD1HNC60 600 V
Другие MOSFET... STD16N65M2 , STD16NF06L-1 , STD16NF06LT4 , STD16NF06T4 , STD17NF03L-1 , STD17NF03LT4 , STD18N65M5 , STD19NF20 , IRFZ24N , STD1HNC60T4 , STD1NK60-1 , STD1NK60T4 , STD1NK80Z-1 , STD1NK80ZT4 , STD20NF06LT4 , STD20NF06T4 , STD20NF10T4 .
History: P6503NJ | MTP12N20 | JFAM20N60C
History: P6503NJ | MTP12N20 | JFAM20N60C
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563