STD25NF10LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD25NF10LT4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de STD25NF10LT4 MOSFET
STD25NF10LT4 Datasheet (PDF)
std25nf10l std25nf10lt4.pdf
STD25NF10LN-channel 100V - 0.030 - 25A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD25NF10L 100V
std25nf10l.pdf
STD25NF10LN-channel 100V - 0.030 - 25A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD25NF10L 100V
std25nf10la.pdf
STD25NF10LAN-channel 100 V, 0.030 , 25 A DPAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTD25NF10LA 100 V
std25nf10la.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor STD25NF10LAFEATURESDrain Current : I = 25A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 35m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol
Otros transistores... STD20NF06LT4 , STD20NF06T4 , STD20NF10T4 , STD22NM20NT4 , STD24N06L , STD24N06LT4G , STD25N10F7 , STD25NF10L , CS150N03A8 , STD25NF10T4 , STD25NF20 , STD26P3LLH6 , STD28P3LLH6 , STD2955T4G , STD2LN60K3 , STD2N105K5 , STD2N80K5 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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