STD25NF10LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STD25NF10LT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD25NF10LT4

STD25NF10LT4 Datasheet (PDF)

..1. Size:426K st
std25nf10l std25nf10lt4.pdf

STD25NF10LN-channel 100V - 0.030 - 25A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD25NF10L 100V

4.1. Size:433K st
std25nf10l.pdf

STD25NF10LN-channel 100V - 0.030 - 25A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD25NF10L 100V

4.2. Size:650K st
std25nf10la.pdf

STD25NF10LAN-channel 100 V, 0.030 , 25 A DPAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTD25NF10LA 100 V

4.3. Size:285K inchange semiconductor
std25nf10la.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor STD25NF10LAFEATURESDrain Current : I = 25A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 35m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol

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Liste

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