STD25NF10LT4 Todos los transistores

 

STD25NF10LT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD25NF10LT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD25NF10LT4 datasheet

 ..1. Size:426K  st
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STD25NF10LT4

STD25NF10L N-channel 100V - 0.030 - 25A - DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD25NF10L 100V

 4.1. Size:433K  st
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STD25NF10LT4

STD25NF10L N-channel 100V - 0.030 - 25A - DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD25NF10L 100V

 4.2. Size:650K  st
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STD25NF10LT4

STD25NF10LA N-channel 100 V, 0.030 , 25 A DPAK STripFET II Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) max ID STD25NF10LA 100 V

 4.3. Size:285K  inchange semiconductor
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STD25NF10LT4

isc N-Channel MOSFET Transistor STD25NF10LA FEATURES Drain Current I = 25A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 35m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sol

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