Справочник MOSFET. STD25NF10LT4

 

STD25NF10LT4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD25NF10LT4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STD25NF10LT4

 

 

STD25NF10LT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  st
 std25nf10l std25nf10lt4.pdf

STD25NF10LT4 STD25NF10LT4

STD25NF10LN-channel 100V - 0.030 - 25A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD25NF10L 100V

 4.1. Size:433K  st
 std25nf10l.pdf

STD25NF10LT4 STD25NF10LT4

STD25NF10LN-channel 100V - 0.030 - 25A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD25NF10L 100V

 4.2. Size:650K  st
 std25nf10la.pdf

STD25NF10LT4 STD25NF10LT4

STD25NF10LAN-channel 100 V, 0.030 , 25 A DPAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTD25NF10LA 100 V

 4.3. Size:285K  inchange semiconductor
 std25nf10la.pdf

STD25NF10LT4 STD25NF10LT4

isc N-Channel MOSFET Transistor STD25NF10LAFEATURESDrain Current : I = 25A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 35m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top