STD28P3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD28P3LLH6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
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STD28P3LLH6 Datasheet (PDF)
std28p3llh6.pdf
STD28P3LLH6Automotive P-channel 30 V, 0.024 typ., 12 A, STripFET VIDeepGATE Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet-target specificationFeaturesRDS(on) Order code VDS max ID PTOTTABSTD28P3LLH6 30 V 0.030 (1) 12 A 40 W321. @ VGS= 10 V1 Designed for Automotive applicationsDPAK RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on)
std2805.pdf
STD2805Low voltage fast-switching PNP power transistorPreliminary DataFeatures Very low collector to emitter saturation voltage High current gain characteristic Fast-switching speed Surface-mounting DPAK (TO-252) power 33package in tape & reel (suffix T4)211 Through-hole IPAK (TO-251) power package TO-252 TO-251in tube (suffix -1)DPAK IP
std2805.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor STD2805DESCRIPTIONLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V )= -0.6V(Max)( I = -5A; I = -0.25A)CE(sat C BDC Current Gain -h = 85(Min)@ I = -5AFE CFast -Switching speedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSCCFL dirversVoltage regulatorsRelay dirversHigh efficienc
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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