STD28P3LLH6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD28P3LLH6
Маркировка: 28P3LLH6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 178 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD28P3LLH6
STD28P3LLH6 Datasheet (PDF)
std28p3llh6.pdf
STD28P3LLH6Automotive P-channel 30 V, 0.024 typ., 12 A, STripFET VIDeepGATE Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet-target specificationFeaturesRDS(on) Order code VDS max ID PTOTTABSTD28P3LLH6 30 V 0.030 (1) 12 A 40 W321. @ VGS= 10 V1 Designed for Automotive applicationsDPAK RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on)
std2805.pdf
STD2805Low voltage fast-switching PNP power transistorPreliminary DataFeatures Very low collector to emitter saturation voltage High current gain characteristic Fast-switching speed Surface-mounting DPAK (TO-252) power 33package in tape & reel (suffix T4)211 Through-hole IPAK (TO-251) power package TO-252 TO-251in tube (suffix -1)DPAK IP
std2805.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor STD2805DESCRIPTIONLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V )= -0.6V(Max)( I = -5A; I = -0.25A)CE(sat C BDC Current Gain -h = 85(Min)@ I = -5AFE CFast -Switching speedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSCCFL dirversVoltage regulatorsRelay dirversHigh efficienc
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
