STD2955T4G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD2955T4G
Código: 2955G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 55 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
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STD2955T4G Datasheet (PDF)
std2955t4g.pdf
NTD2955, NTD2955P,STD2955Power MOSFET-60 V, -12 A, P-Channel DPAKThis Power MOSFET is designed to withstand high energy in thehttp://onsemi.comavalanche and commutation modes. Designed for low-voltage, high-speed switching applications in power supplies, converters, and powerV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXmotor controls. These devices are particularly well suited for bridge-60 V
std29nf03l.pdf
STD29NF03LSTD29NF03L-1N-channel 100V - 0.030 - 25A - DPAK/IPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD29NF03L-1 30V
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