Справочник MOSFET. STD2955T4G

 

STD2955T4G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD2955T4G
   Маркировка: 2955G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD2955T4G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD2955T4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  onsemi
std2955t4g.pdfpdf_icon

STD2955T4G

NTD2955, NTD2955P,STD2955Power MOSFET-60 V, -12 A, P-Channel DPAKThis Power MOSFET is designed to withstand high energy in thehttp://onsemi.comavalanche and commutation modes. Designed for low-voltage, high-speed switching applications in power supplies, converters, and powerV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXmotor controls. These devices are particularly well suited for bridge-60 V

 9.1. Size:427K  st
std29nf03l.pdfpdf_icon

STD2955T4G

STD29NF03LSTD29NF03L-1N-channel 100V - 0.030 - 25A - DPAK/IPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD29NF03L-1 30V

Другие MOSFET... STD24N06LT4G , STD25N10F7 , STD25NF10L , STD25NF10LT4 , STD25NF10T4 , STD25NF20 , STD26P3LLH6 , STD28P3LLH6 , K2611 , STD2LN60K3 , STD2N105K5 , STD2N80K5 , STD2N95K5 , STD2NK70Z-1 , STD2NK70ZT4 , STD2NK90ZT4 , STD2NM60T4 .

History: D18N20 | HU830U | BUZ34 | IRF6709S2

 

 
Back to Top

 


 
.