STD35NF06T4 Todos los transistores

 

STD35NF06T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD35NF06T4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD35NF06T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  st
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STD35NF06T4

STD35NF06N-channel 60V - 0.018 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF06 60V

 ..2. Size:771K  cn vbsemi
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STD35NF06T4

STD35NF06T4www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise

 5.1. Size:646K  st
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STD35NF06T4

STD35NF06LN-channel 60 V, 0.014 , 35 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) IDTABSTD35NF06LT4 60V

 5.2. Size:322K  st
 std35nf06.pdf pdf_icon

STD35NF06T4

STD35NF06N-channel 60V - 0.018 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF06 60V

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History: UPA2520T1H | SVF4N60CAF | UT9435HL-AA3-R | FQD5N15TF | IXFK48N50Q | 2N7064 | NCE60N390F

 

 
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