STD35NF06T4 - аналоги и даташиты транзистора

 

STD35NF06T4 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STD35NF06T4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD35NF06T4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD35NF06T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  st
 std35nf06t4.pdf pdf_icon

STD35NF06T4

STD35NF06N-channel 60V - 0.018 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF06 60V

 ..2. Size:771K  cn vbsemi
 std35nf06t4.pdf pdf_icon

STD35NF06T4

STD35NF06T4www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise

 5.1. Size:646K  st
 std35nf06lt4.pdf pdf_icon

STD35NF06T4

STD35NF06LN-channel 60 V, 0.014 , 35 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) IDTABSTD35NF06LT4 60V

 5.2. Size:322K  st
 std35nf06.pdf pdf_icon

STD35NF06T4

STD35NF06N-channel 60V - 0.018 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF06 60V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STD30NF03LT4 , STD30NF04LT , STD30NF06L-1 , STD30NF06LT4 , STD30NF06T4 , STD30PF03L-1 , STD30PF03LT4 , STD35NF06LT4 , AO3407 , STD35NF3LLT4 , STD35P6LLF6 , STD36NH02L , STD36P4LLF6 , STD38NH02L-1 , STD38NH02LT4 , STD3N40K3 , STD3N80K5 .

History: SPC6602

 

 
Back to Top

 


 
.