STD35NF06T4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD35NF06T4
Маркировка: D35NF06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 44.5 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 300 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD35NF06T4
STD35NF06T4 Datasheet (PDF)
std35nf06t4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD35NF06N-channel 60V - 0.018 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF06 60V
std35nf06t4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD35NF06T4www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise
std35nf06lt4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD35NF06LN-channel 60 V, 0.014 , 35 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) IDTABSTD35NF06LT4 60V
std35nf06.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD35NF06N-channel 60V - 0.018 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF06 60V
std35nf06l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD35NF06LN-channel 60V - 0.014 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF06L 60V
std35nf06lt4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD35NF06LT4www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Lim
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![STD35NF06T4](https://alltransistors.com/images/us.png)
![STD35NF06T4](https://alltransistors.com/images/es.png)
![STD35NF06T4](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C