STD50NH02LT4 Todos los transistores

 

STD50NH02LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD50NH02LT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD50NH02LT4 Datasheet (PDF)

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STD50NH02LT4

STD50NH02LSTD50NH02L-1N-channel 24V - 0.0085 - 50A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD50NH02L-1 24V

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STD50NH02LT4

STD50NH02LSTD50NH02L-1N-channel 24V - 0.0085 - 50A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD50NH02L-1 24V

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STD50NH02LT4

STD50NH02LN-CHANNEL 24V - 0.0085 - 50A DPAK/IPAKSTripFET III POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD50NH02L 24 V

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STD50NH02LT4

STD50N03LSTD50N03L-1N-CHANNEL 30V - 9.2m - 40A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD50N03L 30V 10.5m 40ASTD50N03L-1 30V 10.5m 40A332 RDS(on)*Qg industrys benchmark 1 1 Conduction losses reducedDPAKIPAK Switching losses reduced Low threshold deviceDescriptionThis product utilizes the latest advan

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