STD50NH02LT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD50NH02LT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD50NH02LT4 datasheet

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STD50NH02LT4

STD50NH02L STD50NH02L-1 N-channel 24V - 0.0085 - 50A - DPAK/IPAK STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD50NH02L-1 24V

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STD50NH02LT4

STD50NH02L STD50NH02L-1 N-channel 24V - 0.0085 - 50A - DPAK/IPAK STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD50NH02L-1 24V

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STD50NH02LT4

STD50NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0085 - 50A DPAK/IPAK STripFET III POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD50NH02L 24 V

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STD50NH02LT4

STD50N03L STD50N03L-1 N-CHANNEL 30V - 9.2m - 40A - DPAK/IPAK STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD50N03L 30V 10.5m 40A STD50N03L-1 30V 10.5m 40A 3 3 2 RDS(on)*Qg industry s benchmark 1 1 Conduction losses reduced DPAK IPAK Switching losses reduced Low threshold device Description This product utilizes the latest advan

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