STD50NH02LT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD50NH02LT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD50NH02LT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD50NH02LT4 даташит

 ..1. Size:533K  st
 std50nh02l-1 std50nh02lt4.pdf pdf_icon

STD50NH02LT4

STD50NH02L STD50NH02L-1 N-channel 24V - 0.0085 - 50A - DPAK/IPAK STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD50NH02L-1 24V

 4.1. Size:538K  st
 std50nh02l std50nh02l-1.pdf pdf_icon

STD50NH02LT4

STD50NH02L STD50NH02L-1 N-channel 24V - 0.0085 - 50A - DPAK/IPAK STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD50NH02L-1 24V

 4.2. Size:534K  st
 std50nh02l.pdf pdf_icon

STD50NH02LT4

STD50NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0085 - 50A DPAK/IPAK STripFET III POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD50NH02L 24 V

 8.1. Size:340K  st
 std50n03l std50n03l-1.pdf pdf_icon

STD50NH02LT4

STD50N03L STD50N03L-1 N-CHANNEL 30V - 9.2m - 40A - DPAK/IPAK STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD50N03L 30V 10.5m 40A STD50N03L-1 30V 10.5m 40A 3 3 2 RDS(on)*Qg industry s benchmark 1 1 Conduction losses reduced DPAK IPAK Switching losses reduced Low threshold device Description This product utilizes the latest advan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STD46P4LLF6, STD4N80K5, STD4NK100Z, STD4NK50ZT4, STD4NK60ZT4, STD4NK80ZT4, STD4NS25T4, STD50NH02L-1, 8205A, STD52P3LLH6, STD5406N, STD5406NT4G, STD5407N, STD5407NT4G, STD55NH2LLT4, STD5N20LT4, STD5N60M2