STD52P3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD52P3LLH6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 112 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 414 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de STD52P3LLH6 MOSFET
STD52P3LLH6 Datasheet (PDF)
std52p3llh6.pdf

STD52P3LLH6 P-channel 30 V, 0.01 typ., 52 A, STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - preliminary data Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche Low gate drive power loss Applications Switching applications Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology, Figure 1
Otros transistores... STD4N80K5 , STD4NK100Z , STD4NK50ZT4 , STD4NK60ZT4 , STD4NK80ZT4 , STD4NS25T4 , STD50NH02L-1 , STD50NH02LT4 , STP75NF75 , STD5406N , STD5406NT4G , STD5407N , STD5407NT4G , STD55NH2LLT4 , STD5N20LT4 , STD5N60M2 , STD5N95K5 .
History: FDD6N50TF | 2SJ125



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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