STD52P3LLH6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD52P3LLH6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 112 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 414 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Encapsulados: DPAK
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STD52P3LLH6 datasheet
std52p3llh6.pdf
STD52P3LLH6 P-channel 30 V, 0.01 typ., 52 A, STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - preliminary data Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche Low gate drive power loss Applications Switching applications Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology, Figure 1
Otros transistores... STD4N80K5, STD4NK100Z, STD4NK50ZT4, STD4NK60ZT4, STD4NK80ZT4, STD4NS25T4, STD50NH02L-1, STD50NH02LT4, 7N65, STD5406N, STD5406NT4G, STD5407N, STD5407NT4G, STD55NH2LLT4, STD5N20LT4, STD5N60M2, STD5N95K5
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