STD52P3LLH6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD52P3LLH6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 112 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 414 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD52P3LLH6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD52P3LLH6 даташит

 ..1. Size:772K  st
 std52p3llh6.pdf pdf_icon

STD52P3LLH6

STD52P3LLH6 P-channel 30 V, 0.01 typ., 52 A, STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - preliminary data Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche Low gate drive power loss Applications Switching applications Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology, Figure 1

Другие IGBT... STD4N80K5, STD4NK100Z, STD4NK50ZT4, STD4NK60ZT4, STD4NK80ZT4, STD4NS25T4, STD50NH02L-1, STD50NH02LT4, 7N65, STD5406N, STD5406NT4G, STD5407N, STD5407NT4G, STD55NH2LLT4, STD5N20LT4, STD5N60M2, STD5N95K5