Справочник MOSFET. STD52P3LLH6

 

STD52P3LLH6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD52P3LLH6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 112 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 414 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD52P3LLH6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD52P3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:772K  st
 std52p3llh6.pdf pdf_icon

STD52P3LLH6

STD52P3LLH6 P-channel 30 V, 0.01 typ., 52 A, STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - preliminary data Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche Low gate drive power loss Applications Switching applications Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology, Figure 1

Другие MOSFET... STD4N80K5 , STD4NK100Z , STD4NK50ZT4 , STD4NK60ZT4 , STD4NK80ZT4 , STD4NS25T4 , STD50NH02L-1 , STD50NH02LT4 , STP75NF75 , STD5406N , STD5406NT4G , STD5407N , STD5407NT4G , STD55NH2LLT4 , STD5N20LT4 , STD5N60M2 , STD5N95K5 .

History: VBE16R04 | SSM2305GN | KP746V1 | TSM9409CS | 2SK2958S | VBZFB20N06 | IXTY4N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.