STD52P3LLH6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STD52P3LLH6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 112 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 414 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD52P3LLH6
STD52P3LLH6 Datasheet (PDF)
std52p3llh6.pdf

STD52P3LLH6 P-channel 30 V, 0.01 typ., 52 A, STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - preliminary data Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche Low gate drive power loss Applications Switching applications Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology, Figure 1
Другие MOSFET... STD4N80K5 , STD4NK100Z , STD4NK50ZT4 , STD4NK60ZT4 , STD4NK80ZT4 , STD4NS25T4 , STD50NH02L-1 , STD50NH02LT4 , AON7408 , STD5406N , STD5406NT4G , STD5407N , STD5407NT4G , STD55NH2LLT4 , STD5N20LT4 , STD5N60M2 , STD5N95K5 .
History: HM30N02Q | FQD2N90 | TK14V65W | AOD8N25 | PDC3964X
History: HM30N02Q | FQD2N90 | TK14V65W | AOD8N25 | PDC3964X



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852