STD5NM50T4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD5NM50T4 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: DPAK

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Búsqueda de reemplazo de STD5NM50T4 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

STD5NM50T4 datasheet

..1. Size:338K st
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STD5NM50 STD5NM50-1 N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAK MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD5NM50 500V

..2. Size:277K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor STD5NM50T4 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.8 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 500 V DSS V Gate-Source Voltage 30 V

6.1. Size:463K st
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