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STD5NM50T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD5NM50T4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD5NM50T4

 

Principales características: STD5NM50T4

 ..1. Size:338K  st
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STD5NM50T4

STD5NM50 STD5NM50-1 N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAK MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD5NM50 500V

 ..2. Size:277K  inchange semiconductor
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STD5NM50T4

isc N-Channel MOSFET Transistor STD5NM50T4 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.8 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 500 V DSS V Gate-Source Voltage 30 V

 6.1. Size:463K  st
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STD5NM50T4

STD5NM50 STD5NM50-1 N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAK MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD5NM50 500V

 6.2. Size:423K  st
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STD5NM50T4

STD5NM50 STD5NM50-1 N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAK MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD5NM50 500V

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