STD5NM50T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD5NM50T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD5NM50T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD5NM50T4 даташит

 ..1. Size:338K  st
 std5nm50t4.pdf pdf_icon

STD5NM50T4

STD5NM50 STD5NM50-1 N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAK MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD5NM50 500V

 ..2. Size:277K  inchange semiconductor
 std5nm50t4.pdf pdf_icon

STD5NM50T4

isc N-Channel MOSFET Transistor STD5NM50T4 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.8 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 500 V DSS V Gate-Source Voltage 30 V

 6.1. Size:463K  st
 std5nm50.pdf pdf_icon

STD5NM50T4

STD5NM50 STD5NM50-1 N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAK MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD5NM50 500V

 6.2. Size:423K  st
 std5nm50 std5nm50-1.pdf pdf_icon

STD5NM50T4

STD5NM50 STD5NM50-1 N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAK MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD5NM50 500V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STD5N60M2, STD5N95K5, STD5NK40Z-1, STD5NK40ZT4, STD5NK50Z-1, STD5NK50ZT4, STD5NK52ZD-1, STD5NK60ZT4, SPP20N60C3, STD5NM60-1, STD5NM60T4, STD60NF06T4, STD60NF3LLT4, STD60NF55LT4, STD60NH03L-1, STD60NH03LT4, STD6N60M2